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    以及磷光掺杂剂244具有与发射波长范围不同的第二发射波长范围。例如，发射波长范围可以为绿色波长范围，以及第二发射波长范围可以为红色波长范围。延迟荧光掺杂剂242可以由式1或式3表示，磷光掺杂剂244可以由式5表示。磷光掺杂剂244相对于延迟荧光掺杂剂242的重量百分比等于或小于约5％。例如，磷光掺杂剂244相对于延迟荧光掺杂剂242的重量百分比可以在约％至％的范围内，推荐约％至％。尽管未示出，但是eml240还可以包含基质。基质可以在eml240中具有约50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。第二发光部分270可以包括第二htl272、第二eml260、第二etl274和eil276。第二htl272被定位在cgl280与第二eml260之间，第二etl274被定位在第二eml260与第二电极230之间。此外，eil276被定位在第二etl274与第二电极230之间。第二eml260包含蓝色掺杂剂262。蓝色掺杂剂262具有与eml240中的延迟荧光掺杂剂242和磷光掺杂剂244相比更短的发射波长范围。例如，蓝色掺杂剂262可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光掺杂剂中的一者。尽管未示出，但是第二eml260还可以包含基质。相对于基质，蓝色掺杂剂262的重量百分比可以为约1％至40％，推荐为3％至40％。华南捷捷微二极管代理商公司。揭阳乐山无线电二极管销售

    第二延迟荧光掺杂剂562可以由式1或式3表示，第二磷光掺杂剂564可以由式5表示。第二磷光掺杂剂564相对于第二延迟荧光掺杂剂562的重量百分比等于或小于约5％。例如，第二磷光掺杂剂564相对于第二延迟荧光掺杂剂562的重量百分比可以在约％至％，推荐地约％至％的范围内。尽管未示出，但是第三eml560还可以包含基质。基质可以在第三eml560中具有约50％至80％的重量百分比，并且可以由式7-1或式7-2表示。eml520的基质和第三eml560的基质可以相同或不同。cgl580被定位在发光部分530与第二发光部分550之间，第二cgl590被定位在第二发光部分550与第三发光部分570之间。即，发光部分530和第二发光部分550通过cgl580彼此连接，第二发光部分550和第三发光部分570通过第二cgl590彼此连接。cgl580和第二cgl590各自可以为p-n结型cgl。cgl580包括n型cgl582和p型cgl584，第二cgl590包括n型cgl592和p型cgl594。在cgl580中，n型cgl582被定位在etl536与第二htl552之间，p型cgl584被定位在n型cgl582与第二htl552之间。在第二cgl590中，n型cgl592被定位在第二etl554与第三htl572之间，p型cgl594被定位在n型cgl592与第三htl572之间。在oledd4中。panjit二极管厂家华南乐山二极管代理商公司。

    三pmos管mp3栅极引出二电流镜单元偏置电压为二电流镜单元的九pmos管mp9供电，二电流镜单元镜像的电流在一开关s1、二开关s2和三开关s3都断开时能够使得像素内的五pmos管mp5的源极电压达到0v大小。具体过程为：像素外偏置电压产生模块中通过运放钳位作用将四pmos管mp4的源极电压钳位到0v，将二pmos管mp2的源极电压钳位到步进电压，步进电压的大小即为设置的基准电压vref的电压值。当一开关s1、二开关s2和三开关s3都断开时，钳位到0v的偏置电流通过三pmos管mp3被像素内偏压调节模块的二电流镜单元的pmos管镜像，镜像过来的电流流经像素内的三电阻r3上，从而改变五pmos管mp5的栅极电压，进而将浮动地点的电压钳位到0v，因为0v对浮动地点的电压步进没有影响，所以该电流通路一直保持开启，随后调整一开关s1、二开关s2和三开关s3来调节比例电流镜产生的电流继而调节浮动地的电压为步进电压的整数倍大小。钳位到步进电压的偏置电流通过一pmos管mp1被像素内偏压调节模块的三个宽长比同一pmos管mp1的宽长比比值为1:2:4的pmos管镜像，镜像的电流大小分别为1:2:4，镜像的三条电流通路都汇集到三电阻r3上，每个pmos管下都有开关控制该条通路的导通与关断。

    其中一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的宽长比之比为1:1:2:4；六pmos管、七pmos管和八pmos管的栅极均连接一pmos管的栅极，其源极均连接电源电压，其漏极分别通过一开关、二开关和三开关后连接所述一电流镜单元的输出端。具体的，所述二电流镜单元包括九pmos管，九pmos管的栅极连接三pmos管的栅极，其源极连接电源电压，其漏极连接所述二电流镜单元的输出端。具体的，所述一运算放大器的输出端和一pmos管的栅极之间还设置有一电平位移电路，所述二运算放大器的输出端和三pmos管的栅极之间还设置有二电平位移电路。具体的，所述一运算放大器和二运算放大器均采用折叠式共源共栅运放结构，所述一运算放大器包括十pmos管、十一pmos管、十二pmos管、十三pmos管、十四pmos管、十五pmos管、十六pmos管、十七pmos管、十八pmos管、十九pmos管、一nmos管、二nmos管、三nmos管、四nmos管、五nmos管、六nmos管、七nmos管、八nmos管和四电阻，其中十八pmos管和十九pmos管作为所述一运算放大器的输入对管，其衬底均连接电源电压；六nmos管的栅极连接七nmos管和八nmos管的栅极以及五nmos管的栅极和漏极并连接基准电流，其源极连接八nmos管的漏极。原装乐山二极管采购。

    在照明装置中，需要具有宽的半高全宽(fwhm)以提供高的色彩连续性的发光。为了提供w-oled，需要红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料。然而，未开发出具有宽的fwhm的红色延迟荧光材料。因此，需要开发具有高的色彩连续性和高的发光效率的发光材料层。技术实现要素：因此，本公开内容涉及有机发光二极管(oled)和包括其的有机发光显示装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题。本发明的另外的特征和优点将在下面的描述中阐述，并且部分地将根据该描述而显而易见，或者可以通过本发明的实践而获知。本发明的目的和其他优点将通过书面说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。为了实现这些和其他优点并且根据本公开内容的目的，如本文所体现和广描述的，有机发光二极管包括：电极；面向电极的第二电极；以及包含延迟荧光掺杂剂和磷光掺杂剂并布置在电极与第二电极之间的发光材料层，其中磷光掺杂剂相对于延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于5％。在另一方面，有机发光显示装置包括：基板；有机发光二极管。原装进口二极管找巨新科。重庆肖特基 二极管公司

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    阵列探测器的性能受到严重影响，制约其阵列规模。目前，可通过调节apd偏置电压的方法来提高阵列探测器性能的均匀性。传统方案采用dac(digitaltoanalogconverter,数模转换器)和ldo(lowdropoutregulator,低压差线性稳压器)结构相结合的调节方式来调节apd的偏置电压，即dac产生同时调节数个像素的基准电压作为ldo中误差放大器的输入，随后ldo结构根据dac提供的基准电压来实现apd偏置电压的调节。但是这种调节方式中ldo面积大且不能实现单个像素的调节，此外ldo有限的带宽较难实现apd快速充放电过程中的电压稳定性。技术实现要素：针对传统apd偏置电压调节方式中存在的面积大、不能实现单个像素的调节、电压稳定性不高等不足之处，本发明提出一种调节雪崩光电二极管apd偏置电压的方法，基于负压进行调节，扩大了apd偏置电压的调节范围，且能够实现逐像素可调的apd充电置位电压，有利于提升apd阵列的探测灵敏度，且具有面积小、响应速度快、电压准确度高等优点。本发明的技术方案为：基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路，包括像素外偏置电压产生模块和像素内偏压调节模块。揭阳乐山无线电二极管销售

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